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电力电子专栏

第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即

  东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。 东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度,东芝宣布在内部生产用于功... [查看详情]

[2022年第8期][阅读4684次]
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