东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。 东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度,东芝宣布在内部生产用于功... [查看详情]